صفحه نمایش استاد - پرتال اصلی دانشگاه رازی
رعد چگل
دانشیار / علوم / گروه فیزیک
دروس ارائه شده نیمسال جاری
| نام درس | واحد | زمان ارائه درس | ترم |
|---|---|---|---|
| ترمودینامیک و مکانیک آماری1 | 3 | هرهفته، چهارشنبه ، 13:30-15:30، هرهفته، دوشنبه ، 13:30-15:30 | نیمسال اول سال تحصیلی 1404-1405 |
| الکترودینامیک پیشرفته 2 | 3 | هرهفته، يك شنبه ، 13:30-15:30، هفته هاي فرد ، دوشنبه ، 10:00-12:00 | نیمسال اول سال تحصیلی 1404-1405 |
| مبانی الکترومغناطیسی نور | 3 | هرهفته، يك شنبه ، 10:00-12:00، هفته هاي زوج ، سه شنبه ، 10:00-12:00 | نیمسال اول سال تحصیلی 1404-1405 |
| سمینار و روش تحقیق | 2 | هرهفته، سه شنبه ، 13:30-15:30 | نیمسال اول سال تحصیلی 1404-1405 |
| فیزیک پایه2 | 3 | هرهفته، يك شنبه ، 08:00-10:00، هرهفته، سه شنبه ، 08:00-10:00، هفته هاي زوج ، چهارشنبه ، 10:00-12:00 | نیمسال اول سال تحصیلی 1404-1405 |
پایاننامههای کارشناسیارشد
-
مطالعه پاسخ اپتیکی نانو ذرات پلاسمونیکی چندلایه غیر هم مرکز
اریان اسقده 1405 -
بررسی اثر هارتمن در نانو ساختار های متشکل از نانوذرات و اتم های چند ترازه
زهرا نظری 1404 -
مطالعه سطح مقطع جذب دو فوتونی مولکول های نقطه کوانتومی
پریا چاوشانی 1404در این پایاننامه، پاسخ اپتیکی مولکولهای نقطه کوانتومی بدون حضور نانوذره فلزی و با حضور نانوذره فلزی مورد مطالعه قرار گرفته است. برای تحلیل رفتار سیستم از رهیافت ماتریس چگالی حرکت استفاده شده و معادلات حاکم بر سیستم کوانتومی در حالت پایا حل می شوند. با حل معادلات دینامیکی سیستم، پاسخ اپتیکی خطی و غیرخطی با محاسبه پذیرفتاری مرتبه اول و سوم بررسی شده و همچنین سطح مقطع جذب دو فوتونی مولکولهای نقطه کوانتمی بررسی شده است. علاوه بر این پدیده شفافیت القایی ناشی از تونلزنی الکترون(حفره) بین نقاط کوانتمی در مولکول های نقطه کوانتومی مطالعه شده و اثر پارامترهایی فیزیکی همچون نرخ تونلزنی، اختلاف انرژی بین سطوح تراز انرژی و فاصله بین نقطه کوانتومی با نانو ذره فلزی در سیستم مولکول نقطه کوانتومی بررسی گردیده است. نتایج بدست آمده میتواند در بهبود کنترل خواص اپتیکی و طراحی ساختارهای نانو فوتونیک و اپتوالکترونیک مفید باشد.
-
محاسبات ابتدا به ساکن تغییر خواص فیزیکی ساختار دو بعدی Si2BN جهت استفاده در سلولهای خورشیدی و اپتوالکترونیک
سامان فعله کری 1403این پژوهش به بررسی خواص فیزیکی ساختار دوبعدی Si?BN پرداخته و امکان استفاده از آن را بهعنوان لایه جاذب در سلولهای خورشیدی مورد ارزیابی قرار داده است. هدف اصلی، بهینهسازی این ماده برای ایجاد خاصیت نیمهرسانایی از طریق باز کردن گاف نواری آن بوده است. در حالت خالص، Si?BN دارای گاف نواری صفر و خاصیت فلزی است. برای تغییر این وضعیت، از دو روش استفاده شد: 1) افزودن اتم آلومینیوم به عنوان ناخالصی به ساختار خالص (روش آلایش) و 2) ترکیب Si?BN با یک لایه نازک از گالیوم نیترید (GaN) در قالب یک ساختار ناهمگن دولایه. محاسبات این پژوهش در چارچوب نظریه تابعی چگالی (DFT) صورت گرفته است. برای اجرای این محاسبات از کد WIEN2K استفاده شد و جهت محاسبه پتانسیل همبستگی-تبادلی، از تقریب شیب تعمیمیافته (GGA) استفاده گردیده است که دقت بالایی در تعیین انرژیها و خواص سیستم فراهم میکند. نتایج نشان داد که در حالت آلایش شده با ناخالصی آلومینیوم، گاف نواری باز نشد و خاصیت فلزی ماده همچنان حفظ شد. در ساختار ناهمگن، گاف نواری بسیار کوچکی به میزان 0.118 الکترونولت ایجاد شد، اما همچنان ماده به نیمهرسانا تبدیل نشد. بنابراین، این پژوهش نتوانست این ساختار را برای استفاده بهعنوان لایه جاذب در سلولهای خورشیدی بهینه کند. با این حال، به دلیل رسانندگی خوب و تحرکپذیری بالای حاملها، (چه در حالت خالص و چه در حالتهای تغییر یافته) این ساختار میتواند بهعنوان الکترود یا لایه انتقالدهنده در سلولهای خورشیدی به کار گرفته شود.
