2O4 سنتز و سپس در قالب نانوکامپوزیت‌های سه‌جزئی MWCNT/CoNi2O4/PVAمورد استفاده قرار گرفت. حضور نانولوله‌های کربنی چند جداره به‌عنوان فاز رسانا، علاوه بر فراهم‌سازی مسیرهای انتقال بار و افزایش قطبش بین‌مرزی، نقش مهمی در تنظیم رفتار گذردهی و بهبود جذب امواج ایفا نمود. همچنین ماتریس بسپاری PVA ضمن ایجاد پیوستگی ساختاری، موجب انعطاف‌پذیری و پایداری مکانیکی نمونه‌ها شد. نتایج مشخصه‌یابی‌های ساختاری و ریزساختاری نشان داد که توزیع یکنواخت نانولوله‌ها و نانوذرات در ماتریس بسپاری، منجر به تشکیل شبکه‌های رسانای پایدار می‌گردد. بررسی خواص الکتریکی، مغناطیسی و الکترومغناطیسی نشان‌دهنده‌ی بهبود قابل توجه جذب امواج، به‌ویژه در نمونه‌های دارای درصد بهینه نانولوله‌های کربنی بود. علاوه بر این، نمونه‌های تهیه‌شده به‌عنوان حسگر نوری نیز عملکرد مطلوبی در پاسخ‌دهی به تابش نور از خود نشان دادند. به طور کلی، نتایج این پژوهش نشان داد که نانوکامپوزیت‌های MWCNT/CoNi2O4/PVA به دلیل قابلیت تنظیم رفتار الکترومغناطیسی، جذب بالا، پایداری مکانیکی و پاسخ‌دهی نوری مناسب، گزینه‌ای کارآمد برای کاربرد در جاذب‌های امواج الکترومغناطیسی، سامانه‌های حسگر و الکترونیک انعطاف‌پذیر به شمار می‌آیند.  

در این پایان نامه قصد داریم خواص الکترونی تک لایه برن فسفید را با اعمال آثار میدان الکتریکی و مغناطیسی عمود بر لایه بررسی کنیم. عملاقصدداریم تحلیل چگالی حالات الکترونی این ساختار و رفتاردمایی خواص ترابری از قبیل رسانش الکتریکی و گرمایی را مطالعه کنیم. مطالعه مورد نظر با رهیافت نظریه فیزیک بس ذره ای و تابع گرین انجام می شود. همچنین یک مدل تنگ بست با حضور ولتاژبایاس واثر زیمن ناشی از میدان مغناطیسی خارجی جهت مطالعه دینامیک الکترون در این ساختار اعمال می گردد. سپس به کمک ساختار نواری الکترونی در این مدل،در رهیافت تابع گرین و نظریه پاسخ خطی به تحلیل نتایج فیزیکی اشاره شده پرداخت. به علاوه آثار شدت میدان الکتریکی در قالب اعمال ولتاژبایاس ومیدان مغناطیسی و تزریق الکترون در قالب افزایش پتانسیل شیمیایی روی رفتار دمایی خواص ترابری الکتریکی گرمایی و وابستگی انرژی چگالی حالات انرژی بررسی می گردد.

 چکیدهاین پژوهش به بررسی زنجیره‌های واپاشی آلفا و پیش‌بینی حالت‌های واپاشی در هسته‌های فوق‌سنگین با عدد اتمی  Z=118-124 می‌پردازد. در این راستا، نیمه‌عمر واپاشی آلفا با استفاده از چندین فرمول پدیدارشناختی دنیسوف ، خودنکو (D&K)، هوروی، رویر، UDL،UNIV  و VSS استفاده شده است. برای نیمه‌عمر شکافت خودبه‌خودی نیز دو فرمول متفاوت ، معادله‌ی بائو و معادله‌ی سویلو مبتنی بر مدل قطره‌ی مایع به کار گرفته شد.برای ارزیابی دقت مدل‌ها، محاسبات با داده‌های تجربی عناصر فوق‌سنگین موجود مقایسه و ریشه میانگین مربعات انحراف از دادههای تجربی محاسبه شد. نتایج نشان داد که در میان مدل‌های مختلف، تقریب WKB  و فرمول رویه بهترین انطباق را با داده‌های آزمایشگاهی دارند. با این حال، برای شکافت خودبه‌خودی، اختلاف چشمگیری میان پیش‌بینی‌های فرمول بائو و سویلو مشاهده گردید؛ این تفاوت‌ها عمدتاً ناشی از در نظر گرفتن عوامل متفاوتی همچون اصلاح پوسته‌ای و اثر جفت‌نشده بودن نوکلئون‌ها است.بر اساس محاسبات انجام‌شده، زنجیره‌های واپاشی آلفای متعددی برای ایزوتوپ‌های عناصر Z=118-124  پیش‌بینی شد که در برخی موارد با قطع شدن زنجیره به دلیل غلبه‌ی شکافت خودبه‌خودی پایان می‌پذیرد. این نتایج علاوه بر همخوانی نسبی با مطالعات پیشین، مسیرهای نوینی برای شناسایی ایزوتوپ‌های پایدارتر و کاندیداهای مناسب در سنتز عناصر فوق‌سنگین ارائه می‌دهد.به طور کلی، پژوهش حاضر چارچوبی جامع برای پیش‌بینی رفتار واپاشی عناصر فراتر از دره‌ی پایداری فراهم می‌سازد و می‌تواند مبنای نظری ارزشمندی برای طراحی و تحلیل آزمایش‌های آینده در زمینه‌ی سنتز عناصر فوق‌سنگین باشد.

در این پایان‌نامه، پاسخ اپتیکی مولکول‌های نقطه کوانتومی بدون حضور نانوذره فلزی و با حضور نانوذره فلزی مورد مطالعه قرار گرفته است.‎ برای تحلیل رفتار سیستم از رهیافت ماتریس چگالی حرکت استفاده شده و معادلات حاکم بر سیستم کوانتومی در حالت پایا حل می شوند. با حل معادلات دینامیکی سیستم، پاسخ اپتیکی خطی و غیرخطی با محاسبه پذیرفتاری مرتبه اول و سوم بررسی شده و همچنین سطح مقطع جذب دو فوتونی مولکولهای نقطه کوانتمی بررسی شده است. علاوه بر این پدیده شفافیت القایی ناشی از تونل‌زنی الکترون(حفره) بین نقاط کوانتمی در مولکول های نقطه کوانتومی مطالعه شده و اثر پارامترهایی فیزیکی همچون نرخ تونل‌زنی‏‏، اختلاف انرژی بین سطوح تراز انرژی و فاصله بین نقطه کوانتومی با نانو ذره فلزی در سیستم مولکول نقطه کوانتومی بررسی گردیده است. نتایج بدست آمده می‌تواند در بهبود کنترل خواص اپتیکی و طراحی ساختارهای نانو فوتونیک و اپتوالکترونیک مفید باشد. ‎

با ولت‌سنج   چرخه‌ای (CV) و شارژ/دشارژ الکتروشیمیاییGCD)) تحلیل می­شوند.  

چکیده در این پایان‌نامه، نانوکامپوزیت­های PVA/NiFe2O4/(MoS2)x با مقادیر مختلف x با استفاده از روش سل- ژل به کمک PVA تهیه شدند. فریتNiFe2O4 به دلیل ویژگی‌های قابل‌توجهی که دارد، به‌عنوان ماده‌ای برای جذب ریزموج، به‌طور گسترده موردمطالعه قرارگرفته است. نقش PVA تثبیت نانوذرات در ترکیب است و از انبوهش و کلوخه شدن جلوگیری می‌کند. جذب ریزموج فریت را می‌توان از طریق ترکیب با MoS2 افزایش داد. بااین‌حال، طراحی نانو ساختار ترکیب‌های فریت برای ساخت کامپوزیت‌های جاذب موج باکارایی بالا و وزن سبک هنوز بسیار بحث‌برانگیز است. خصوصیات ساختاری، مورفولوژی و خواص جذب الکترومغناطیسی با استفاده از پراش اشعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی و ایدکس مورد تجزیه‌وتحلیل قرار گرفتند. مطالعه مورفولوژی نشان می‌دهد که نانوذرات NiFe2O4 روی MoS2 قرار می‌گیرند که منجر به یک نانو ساختار سه‌بعدی می‌شود. نانو‌کامپوزیت‌های ‌ PVA/NiFe2O4/MoS2 خواص جذب الکترومغناطیسی قابل قبولی نشان داده‌اند. این نتایج باید به دلیل اتلاف دی‌الکتریک بهبودیافته یا قطبش سطح مشترک همراه با اتلاف مغناطیسی باشد. نتایج این پایان‌نامه یک رویکرد آسان برای طراحی جاذب و فیلتر کننده‌های امواج الکترومغناطیسی مبتنی بر فریت برای برآورده کردن شرایط سبک‌وزنی و کارایی بالا ارائه خواهد داد. ویژگی‌های جذب نانوکامپوزیت‌ها نسبت به امواج الکترومغناطیسی را می‌توان به عوامل مختلفی مانند کاهش رسانندگی، اتلاف‌های جریان گردابی، بازتاب چندگانه و پراکندگی نسبت داد. این مکانیسم‌ها نقش حیاتی در ایجاد اتلاف امواج الکترومغناطیسی در مواد نانوکامپوزیت دارند. این پایان‌نامه کاربرد بالقوه نانوکامپوزیت‌های PVA/NiFe2O4/(MoS2)x را در جاذب‌های با کارایی بالا نشان می‌دهد.     

   وجود آلودگی الکترومغناطیسی نه‌تنها سلامت انسان را تهدید می‌کند بلکه عملکرد صحیح ماشین‌آلات در مقیاس بزرگ را مختل می‌کند. با توجه به این وضعیت نانو کامپوزیت‌های PVA/Mn Ferrite/(MoS2)x، که خواص جذب امواج الکترومغناطیسی قابل‌توجهی از خود نشان می‌دهند، با روش سل – ژل سنتز شدند. با ترکیب هوشمندانه PVA/Mn Ferrite/(MoS2)x، پارامترهای الکترومغناطیسی کامپوزیت بهینه و منجر به افزایش تطابق مقاومت ظاهری گردید. درنتیجه، نانوکامپوزیت‌های PVA/Mn Ferrite/(MoS2)x حداقل افت بازتاب منحصربه‌فرد   15.971-دسی‌بل را در ضخامت 1 میلی‌متر نشان دادند.   قابلیت جذب مواد را می‌توان در درجه اول به برهمکنش عالی بین PVA/Mn Ferrite با (MoS2)x   نسبت داد. علاوه بر این، MoS2 نقش مهمی در تولید اتلاف دی‌الکتریک و دستیابی به تطابق امپدانس ایده آل ایفا می‌کند. درنتیجه، کاربردهای بالقوه نانو کامپوزیت‌های PVA/Mn Ferrite/(MoS2)x   به‌عنوان مواد جذبی و مقاومت‌های وابسته به نور[1] (LDR) گسترش است. این نانوکامپوزیت ها نه‌تنها کارایی بالایی نشان می‌دهند، بلکه دارای مزایای انعطاف‌پذیری و خواص سبک‌وزن هستند که باعث افزایش بیشتر مطلوبیت آن‌ها می‌شود. [1] . Light dependent resistance

  بررسی رفتارهایمغناطیسی، الکتریکی و ساختاری نانوساختارهایAu/MoS2@(NiFe2O4)x  به عنوان جاذب­های امواج الکترومغناطیسی

   کربن یکی از مهم‌ترین و جالب‌ترین عناصر موجود در طبیعت است که به اشکال مختلف و با خواص متنوع برحسب هیبریداسیون‌های متفاوت یافت می‌شود. در سال­های اخیر آلوتروپ­های این عنصر شگفت انگیز،   به خصوص گرافین دوبعدی، به واسطه خواص الکتریکی و اپتیکی منحصر به فردشان بسیار مورد توجه قرار گرفته­اند. پس از کشف گرافین دانشمندان به بررسی ساختارهای دوبعدی دیگری پرداختند که خواصی مشابه با گرافین داشته باشند ولی در عین حال نقص های موجود در گرافین را پوشش دهند. یکی از این ساختارها، ورقه­ای دوبعدی با تقارن چهارضلعی به نام تی­گرافین است که به صورت تئوری معرفی شده است. هدف ما در این پایان نامه، این است که خواص الکترونی انواع نانونوارهای تی‌گرافین با عرض‌های مختلف را بررسی نماییم و سپس اثر افزایش تعداد لایه را بر روی این خواص مطالعه کنیم. برای این کار ابتدا هامیلتونی ساختار مورد نظر را با استفاده از تقریب تنگ بست در کوانتش دوم محاسبه می‌نماییم. با قطری کردن ماتریس هامیلتونی، ساختارنواری دستگاه‌های مورد بررسی حاصل می­شوند. سپس با محاسبه‌ی معادله‌ی حرکت الکترون‌های ظرفیت سیستم، تابع گرین را به دست می‌آوریم. با استفاده از تابع گرین به دست آمده، چگالی حالت‌های الکترونی و سایر کمیت‌های فیزیکی قابل محاسبه خواهند بود. در این راه از روش کدنویسی به زبان برنامه نویسی متلب سود جسته تا با انجام محاسبات عددی و رسم نمودارهایی، مانند نمودار ساختار نواری و چگالی حالات، نتایج به دست آمده از محاسبات را ارزیابی کرده و خواص فیزیکی مورد مطالعه این نانوساختار را   بیان کنیم.

تی گرافین دوبعدی یکی از دگرشکل­ های کربن است که از حلقه­ های چهار ضلعی و هشت ضلعی کربن به طور متناوب ساخته شده و انتظار می­رود به دلیل ساختار نواری متفاوت نسبت به گرافین، خواص متمایز و جالب توجهی داشته باشد. خواص الکترونی نانوساختارها تابعی از هندسه و نوع اتم­ه ای آنها می­باشد. در این پایان نامه سعی بر آن است که خواص الکترونی نانولوله­ های تی گرافین زیگزاگ و آرمچیر با قطرهای مختلف مورد بررسی قرار گیرد. رهیافت های نظری مورد استفاده تقریب تنگ بست، تقریب نزدیکترین همسایه و رهیافت تابع گرین می باشند. برای این منظور ابتدا هامیلتونی نانوساختارهای مورد مطالعه را در تقریب تنگ بست و کوانتش دوم برای الکترون­ های بدون برهمکنش بلاخ نوشته و سپس معادله­ ی حرکت الکترون­های ظرفیت سیستم مدنظر را به دست می­ آوریم. در مرحله­ ی بعد با استفاده از تابع گرین به دست آمده، چگالی حالات انرژی و ساختار نواری محاسبه می­گردد و در پایان نمودارهای ساختار نواری و چگالی حالات انرژی برای نانولوله ­های تی گرافین زیگزاگ و آرمچیر، با استفاده از کدنویسی در قالب زبان برنامه ­نویسی متلب رسم گشته و به تحلیل نمودارهای حاصله می­پردازیم.   

 روش های ژئوفیزیکی از جمله روش های غیر مستقیم برای اکتشاف هستند که در زمینه پی جویی و اکنشاف منابع زیرسطحی به طور گسترده استفاده می شوند. به کمک روش های ژئوفیزیکی می توان اعماق نسبتاً زیاد زمین را بدون نیاز به حفاری مورد بررسی و جستجو قرار دارد. و با توجه به پاسخ متفاوت مواد مختلف به عوامل فیزیکی به حضور یا عدم حضور کانسارها پی برد. از صافی های میدان مغناطیسی برای تفسیر بی هنجاری های مغناطیسی استفاده می شود. محدوده مورد مطالعه در منطقه تیرک قرار دارد. منطقه تیرک بخش کوچکی از قسمت غربی نقشه زمین شناسی شرق تهران را تشکیل می دهد.داده برداری در یک محدوده به مساحت 6 کیلومتر مربع انجام شده است. برای تفسیر داده های مغناطیسی برداشت شده از صافی های انتقال به قطب، ادامه فراسو، مشتق قائم و مشتق زاویه تیلت استفاده شد.با استفاده از صافی انتقال به قطب مکان چهار بی هنجاری مغناطیسی مشخص شد.با استفاده از صافی ادامه فراسو مشخص شد که بی هنجاری شاخصی با عمق محدود ولی قابل توجه در غرب منطقه داده برداری وجود دارد. همچنین با استفاده از صافی ادامه فراسو رد گسلی با امتداد شمال غربی جنوب شرقی قابل مشاهده است که کاملاً با نقشه زمین شناسی منطقه انطباق دارد

ما در این پژوهش یک روش برای تخمین جهت بردار مغناطیسی بی هنجاری های مغناطیسی ارائه میدهیم.در واقع هدف از تفسیر بی هنجاری های مغناطیسی ، تعیین موقعیت منابع مغناطیسی است که باعث پدید آمدن بی هنجاری هایی در میدان مغناطیسی زمین میشوند.در نظر گرفتن این واقعیت که شکل جانبی و مکان قرار گرفتن بی هنجاری های مغناطیسی،نه تنها به مکان و شکل عاملان بی هنجاری ، بلکه به میدان مغناطیسی زمین و بردار مغناطش منبع مغناطیسی وابسته میباشد،رسیدن به این هدف را برای ما دشوار میکند.روشی که ما در این پژوهش برای تخمین جهت مغناطش ارائه میدهیم مبتنی بر داده های حاصل از تانسور گرادیان مغناطیسی و یکی از تبدیل های میدان مغناطیسی بنام تبدیل انتقال به قطب است.داده ای که از تانسور گرادیان مغناطیسی حاصل میشود با نام شدت منبع به هنجار شده شناخته میشود که دارای کمترین میزان وابستگی به بردار مغناطش است.در حالی که روش های رایج مانند بی هنجاری شدت کل میدان مغناطیسی تا حد قابل توجهی به جهت مغناطش وابسته هستند. این ویژگی شدت منبع به هنجار شده را به یک پارامتر قابل اطمینان جهت محاسبات مغناطیسی تبدیل کرده است.لازم به ذکر است که شدت منبع به هنجار شده نتایج دقیقی را از مکان منبع مغناطیسی به نمایش میگذارد.از طرفی فیلتر انتقال به قطب به جهت مغناطش وابسته میباشد و هنگامی که جهت های صحیح از بردار مغناطش را برای آن استفاده کنیم، بر مکان منبع مغناطیسی متمرکز خواهد شد.ما از همبستگی بین داده های شدت منبع به هنجار شده و انتقال به قطب برای یافتن جهت مغناطش منبع مورد نظر استفاده میکنیم.برای یک زاویه ی انحراف و یک زاویه ی میل،ضریب همبستگی بیشترین مقدار را دارا میباشد که آن را به عنوان جهت مغناطش صحیح بی هنجاری مغناطیسی در نظر میگیریم.ما روش پیشنهادی را برای مدل های مغناطیسی مصنوعی ایزوله و متداخل بکار بردیم و میزان خطا را در هر یک از موارد مورد بررسی قرار دادیم.و مقایسه ای هر چند اجمالی از شدت منبع به هنجار شده و اندازه ی میدان کل   بر روی داده های حاصل شده به عمل آوردیم.و کارایی شدت منبع به هنجار شده و دقت آن را در جهت تعیین مغناطش بی هنجاری به اثبات رساندیم.  

   در دنیای امروزی نیاز به ابزارهای ذخیره انرژی انعطاف­پذیر، سبک، کوچک و در عین حال با چگالی ذخیره انرژی بالا بمنظور کاربرد در ساخت و طراحی وسایل الکترونیکی، بسیار احساس می­شود. تهیه­ی خازن­هایی در کوتاه­ترین زمان ممکن با ظرفیت ذخیره انرژی بالا بر پایه­ی مواد ارزان قیمت و سازگار با محیط زیست یکی از چالش های پیشروی بشر امروزی در استفاده از ابزارهای ذخیره انرژی می­باشد. از این رو، در این پایان­نامه طراحی و ساخت میکروابرخازن انعطاف­پذیر بر پایه مواد فعال نانوکامپوزیت­های گرافن در دستور کار قرار گرفت. در این پژوهش با تاکید بر استفاده از مواد سازگار با محیط زیست و در کمترین زمان ممکن، ابزاری برای ذخیره هرچه بیشتر انرژی در ابعاد کوچک و قابل حمل طراحی و ساخته می­شود. ریخت­شناسی سطح و ساختار بلورینگی الکترودهای ساخته شده با آنالیزهای مختلف ارزیابی می­گردد. همچنین ظرفیت و چگالی انرژی میکروابرخازن تهیه شده با آنالیزهای الکتروشیمیایی مورد بررسی قرار می­گیرد. در این پژوهش با ساخت دو الکترود مختلف RGO و RGO/CuO و بررسی ویژگی‌های الکتروشیمیایی هر کدام به یک ماده سازگار و مفید برای بالا بردن چگالی انرژی و چگالی توان دست یافتیم. با انجام ولتامتری چرخه‌ای بر روی این دو ماده الکترودی به ظرفیت 2.73 mF.cm-2   و 9.02 mF.cm-2 در نرخ اسکن 10mV.s-1 برای الکترودهای RGO و RGO/CuO دست یافتیم. ظرفیت ابرخازن کامپوزیتی بعد 1000 چرخه به مقدار 87% حفظ شده است که در مقایسه با مقالات معتبر عدد قابل قبولی میباشد.

به منظور تحقق ذخیره سازی انرژی کم هزینه و کارایی بالا، توسعه یک ماده کاتد تزریق شده برای باتری های لیتیوم  ـ  یونی با ظرفیت بالا و چرخه طولانی بسیار مهم است. نانوذرات LiMn1.977(Ce,Cu,Ti,CeCuTi)0.023O4 به‌دلیل پایداری ساختاری بالا، ظرفیت بالا و ایمنی در طول چرخه‌های شارژ/دشارژ، یک ماده کاتدی امیدوارکننده در نظر گرفته می‌شوند. در این پایان‌نامه خواص ساختاری، فیزیکی . شیمیایی کاتد LiMn2O4 تزریق شده با Ce، Cu، Ti، CeCuTi و CNT بررسی می‌شود. در بین نمونه‌های LiMn2O4 خالص و LiMn2O4 تزیق‌شده‌، کاتد LiMn2O4 تزریق‌شده با Ti که   در دمای 700 درجه سانتی‌گراد کلسینه‌ می‌شود، بالاترین ظرفیت mAh.g-1 701/144 را پس از 20 چرخه با آهنگ C‌  1/0 نشان می‌دهد که با تزریق CNT به این نمونه ظرفیت به mAh.g-1 413/186 (حفظ ظرفیت = 924/98 %) می‌رسد. این به‌دلیل اندازه کوچک اتم Ti است که منجر به تخلخل بالا برای ذخیره سازی و برگشت‌پذیری لیتیوم می‌شود و همچنین وجود تیتانیوم در شبکه باعث افزایش ثابت دی‌الکتریک می‌شود. این مطالعه یک روش قابل اعتماد و آسان برای ساخت و تجزیه و تحلیل کاتدهای مبتنی بر نانوذرات LiMn1.977(Ce, Cu, Ti, CeCuTi)0.023O4 با عملکرد عالی ارائه می‌‌دهد.   

در این پایان نامه قصد داریم رفتار جذب امواج الکترومغناطیس توسط ساختار نانونوار آرمچیر بر حسب فرکانس امواج الکترومغناطیس در حضور آثار اندرکنش بین الکترونی را بررسی نماییم. جهت توصیف دینامیک الکترون ها در این ساختار از مدل هامیلتونی هابارد بهره می گیریم. در واقع ساختار نواری الکترونی در ساختار بلوری اشاره شده بر مبنای مدل هابارد بدست می آید. در این مدل هامیلتونی علاوه بر انرژی جنبشی و جاذبه کولنی بین الکترون ها و اتم ها ، یک جمله دافعه کولنی بین الکترون ها به صورت برجایگاهی در بر می گیرد. بر مبنای رهیافت تقریب میدان متوسط می توان طیف ترازهای انرژی الکترونی در این ساختار را بدست آورد و به کمک آن به تحلیل رفتار چگالی حالات انرژی پرداخت. تقریب کوبو که بر مبنای آن آهنگ جذب امواج الکترومغناطیسی را می توان بر حسب تابع هم بستگی عملگرهای چگالی جریان بیان کرد. نهایتا رابطه جذب امواج الکترومغناطیس توسط این ساختار بر مبنای طیف ساختار نواری بیان می شود که بعد از محاسبات عددی مورد نیاز می توان به مقادیر عددی وابستگی طیف جذب بر حسب فرکانس امواج دستیابی پیدا کرد. در ادامه مطالعه در این پایان نامه آثار اندرکنش الکترون – الکترون روی رفتار جذب امواج الکترومغناطیس بر حسب فرکانس مطالعه کرد. همچنین تاثیر عرض نانونوار و تزریق الکترون روی مکان قله های موجود در طیف امواج الکترومغناطیس توسط ساختار نانونوار آرمچیر بررسی خواهد شد.

   در این پایان نامه قصد داریم رفتار جذب نوری گرافن دو لایه با چیدمان های ساده و برنال را بر اساس مدل هامیلتونی بررسی نماییم. آثار حضور غلظت الکترونی و شدت اندرکنش الکترونی نیز در رفتار جذب نوری تحلیل می گردد. همچنین یک ولتاژ بایاس به صورت یک میدان الکتریکی عمود بر صفحات گرافن دو لایه نیز به آن اعمال می شود .در ابتدا رفتار چگالی حالات الکترونی این دستگاه تحلیل می شود و به کمک تابع گرین الکترونی رفتار وابستگی فرکانسی آهنگ جذب موج الکترومغناطیس توسط نمونه گرافن دولایه تحلیل و مطالعه می گردد. به علاوه وضعیت وزن دروده در رفتار فرکانسی جذب نوری بررسی می گردد و آثار نوع چیدمان و غلظت الکترونی را روی نحوه رفتار فرکانسی جذب نوری خواهیم دید . در پایان وضعیت قله فرکانس محدوده منحنی های جذب نوری و نحوه تغییرات ارتفاع و مکان قله را با در نظر گرفتن آثار ولتاژ بایاس و غلظت الکترونی و اندرکنش بین الکترونی بررسی می نماییم.

   چکیده در مقایسه با سایر داده های ژئوفیزیکی مربوط به زمین   اطلاعات جمع آوری شده در مورد میدان مغناطیسی زمین نسبتا زیاد است . از آنجا که شناخت هرچه بیشتر میدان ژئومغناطیسی زمین می تواند زمینه را برای سایر مطالعات بر روی مغناطیس زمین و ارتقای روش های ژئوفیزیکی در پی داشته باشد ، در این پژوهش برآنیم تا سهم چرخه های خورشیدی در تغییرات گذرای میدان ژئومغناطیسی برای سال های 1960 تا 2015   را مورد تجزیه و تحلیل قرار دهیم .

   سیلیسین ( Silicene) دگرشکل دوبعدی سیلیسیم با ساختاری شبیه گرافن است.   سیلیسین یک شبکه ی لانه زنبوری دوبعدی از اتم های سیلیکون با یک خمیدگی خارج از صفحه است که موجب می شود زیرشبکه های آن در دو صفحه ی موازی که در راستای عمودی از هم فاصله دارند، قرار بگیرند.یعنی شکل آن کاملا تخت نیست و گوشه های شش ضلعی بطور یک درمیان بالا و پایین هستند.علاوه بر این هنگامی که اتم‌های سیلیسیم به صورت دو بعدی آرایش می‌یابند، تحت استرس قرار می‌گیرند و همانند کربن پایدار نمی‌باشند. از آنجایی که سیلیسین ناپایدار است باید از آن محافظت کرد که این موضوع سبب می‌شود تا دستکاری و کار کردن با آن مشکل باشد. ساختار این ماده خصوصیات الکتریکی ایده‌آلی برای آن به ارمغان آورده است.    دراین پایان نامه ضمن مطالعه ساختار سیلیسین خواص ترابرد الکترونی آن را با تزریق ناخالصی های   کربن   وبور و بدون آنها مورد بررسی قرار داده ایم. خواص ساختاری و   الکترونی   سیلیسین با استفاده از کد محاسباتی WIEN2K   در چارچوب نظریه تابعی چگالی مورد بررسی قرارگرفته است. برای تابعی انرژی تبادلی-همبستگی از تقریب شیب تعمییم (GGA)   استفاده شده است.منحنی های چگالی حالات و ساختار نواری در هر مورد ترسیم شده است.محاسبات ما نشان داده اند که سیلیسین خالص دارای ویژگی فلزی است و با تزریق ناخالصی های بور و کربن سیلیسین ویژگی نیمرسانایی با گافی در حدود   ve ???/? به دست می آورد.

چکیدههدف: کارآمدترین روش برای خلاصه کردن آنچه در مورد یک سیستم پیچیده می دانیم، شناسایی تاثیرات پتانسیل برهم کنش موثر برای آن سیستم است به همین دلیل بررسی تاثیرات پتانسیل برهم کنش در سیستم های واقعی از اهمیت اساسی برخوردار است. از سویی دیگر در چند دهه گذشته شاهد انقلابی در جهان بوده ایم که توسط علم و فناوری در ارتباط با مواد نانوساختار یافته دو بعدی، یک بعدی و صفر بعدی ساخته شده است. زمینه اصلی پدیده های جذاب و ارزشمند ساختار های کوانتومی، حبس و محصوریت کوانتومی است و از این رو تحقیقات در مورد منشا و اثر حبس در   نقاط کوانتومی به یکی از اساسی ترین و مهیج ترین زمینه های مقدماتی در علوم مدرن تبدیل شده است. هدف از این پژوهش، مطالعه سیستم های مزونی در نقاط کوانتومی استروش شناسی پژوهش: این پژوهش از نظر نوع بنیادی است. با توجه به محصور شدن یک کوارک تحت پتانسیل ، همراه با یک شرایط مرزی مناسب، معادله شرودینگر مربوطه را که توسط تقریب جرم موثر   برای حالت پایه حاکم است حل و انرژی حالت پایه، تابع موج و چگالی احتمال کوارک بدست آمده است. با توجه به شباهت سیستم های مزونی به سیستم الکترون-حفره و همینطور با توجه به انتخاب رویکرد پارامتری پتانسیل که دارای انعطاف پذیری می باشد، این اطلاعات بدست آمده با نقاط کوانتومی متشکل از الکترون و حفره مقایسه شده است. یافته ها: از تجزیه و تحلیل پدیدارشناختی، مشاهده شد که فرض برای پتانسیل موثر ، با دامنه خاصی از مقادیر ، در تقریب جرم موثر، قادر به ارائه توضیحات بسیار خوبی از تغییر طیف انرژی کوارک های تشکیل دهنده مزون به دلیل محصوریت و محدودیت کوانتومی خواهد بود. هر چند که در حال حاضر داده های تجربی برای سیستم های مزونیک محصور در نقاط کوانتومی در دسترس نمی باشد اما با مقایسه این نقاط با نقاط کروی متشکل از الکترون-حفره و با توجه به تغییر انرژی در حداقل باند رسانش و حداکثر باند ظرفیت مربوط به الکترون و حفره   به دلیل محدودیت کوانتومی، نتیجه گرفته می شود که طیف انرژی کوارک های تشکیل دهنده مزون ها در صورت حبس در یک نقطه کوانتومی تغییر خواهد کرد.نتیجه گیری: فرض پتانسیل با نوسانگرهارمونیک جفت شده و تاثیر کولن به عنوان پتانسیل موثر برای محدود کردن الکترون (حفره) و هم چنین کوارک(پادکوارک) قادر به پیش بینی موفقیت آمیز تغییر کوانتومی ناشی از تغییر حالت در انرژی نقطه کوانتومی کروی است و می تواند به عنوان یک مدل مناسب برای داشتن اطلاعات معقول در مطالعه سیستم های کروی واقعی نانو ساختارها از جمله مزون ها شناخته شود.  واژه های کلیدی: نقاط کوانتومی کروی ،مزون سنگین، محصوریت کوانتومی، مدل پتانسیل موثر

      تا کنون تحقیقات نظری و تجربی فراوانی بر روی تک لایه های مختلف دو بعدی به منظور ارزیابی پایداری ساختاری و خواص الکترونی و احتمال کاربرد آنها در الکترونیک انجام شده است.   نانو ساختارها موادی با اندازه حدود نانومتر هستند که اثرات و خواص فیزیکی، شیمیایی، مکانیکی و ... متفاوت نسبت به حالت توده از خود نشان می دهند. دلیل این رفتار متفاوت، به طور کلی بزرگ بودن نسبت اتم های سطحی به اتم های حجمی دراین ساختارهاست که به موجب آن و نیز به واسطه ی اثرات محدودیت کوانتومی، خواص مواد، با کوچک شدن در حد نانومتر، متفاوت می شود. در این پایان نامه خواص ساختاری و الکترونی ژرمانن با و بدون حضور ناخالصی ها با استفاده از کد محاسباتی WIEN2K   به روش امواج تخت بهبود یافته ی خطی با پتانسیل کامل (FB-LAPW) و در چارچوب نظریه تابعی چگالی مورد بررسی قرار گرفته است. کلمات کلیدی: ژرمانن تک لایه، خواص ساختاری والکترونی، نظریه تابعی چگالی، ناخالصی

ساختارهای بلوری متناوب از مواد گوناگون در علم فیزیک وفوتونیک از دیرباز مورد توجه همگان بوده است. در این پژوهش‏، ابتدا ساختارهای بلوری متناوب یا به اصطلاح بلور فوتونی معرفی می شود و قوانین حاکم بر عبور امواج الکترومغناطیسی از بلور فوتونی و روش ماتریس انتقال مورد بررسی قرار می گیرد. سپس رابطه ضریب عبور موج الکترومغناطیسی از لایه های بلور محاسبه شده و ساختارهای متفاوتی از تناوب لایه ای دی الکتریک ها مطالعه می شود. در ادامه‏، به جهت بهبود ضریب عبور امواج از بلور فوتونی و کاهش باند گاف انرژی‏، کامپوزیت متشکل از نانوذرات فلزی و لایه گرافن معرفی شده و به ساختار اضافه می گردد و نتایج مورد بررسی قرار می گیرد.‎ نتایج محاسبات تئوری انجام شده در این پایان نامه نشان میدهد که،افزودن کامپوزیت متشکل از نانوذرات فلزی و هم چنین استفاده از تک لایه های گرافن در ساختار بلور فوتونی یک بعدی،سبب از بین رفتن باند گاف انرژی در طیف عبوری حاصل از ساختار شده، که از این نتیجه می توان در ساخت ابزارهای فوتونیکی در محدوده وسیع فرکانسی استفاده نمود.

  ما در این پایان‌نامه در نظر داریم با استفاده از مدل تنگ‌بست و تقریب نزدیکترین همسایه، به کمک رهیافت توابع گرین و مدل هاریسون به بررسی خواص ساختار های دوبعدی   فسفرین آبی و فسفرین سیاه بپردازیم و در نهایت تفاوتهای آنها از نظر ویژگی های الکترونی و ظرفیت گرمایی الکترونی را در مقایسه با گرافن به تصویر بکشیم. نتایج حاکی از نیمرسانا بودن هر دو ساختار فسفرین می باشد. در ظرفیت گرمایی هر دو ساختار نیز ناهنجاری های شاتکی را در انرژی های گرمایی نزدیک به گاف نواری هر ساختار شاهد هستیم. بررسی هاریسونی در فسفرین آبی اطلاعات جزیی تری از رفتار آن به کمک تحلیل سهم اربیتال های اتمی مختلف به دست می دهد.   

 بررسی ویژگی های الکترونیکی

بررسی ویژگی های الکترونیکی پلیمرها

مطالعه پذیرفتاری مغناطیسی نانو نوارهای گرافینی دولایه تا تقریب دومین همسایه ها

خواص الکترونی و مغناطیسی نانونوارهای هیدروژنه زیگزاگ SiB با عرض های مختلف مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات در قالب نطریه­ی تابعی چگالی (DFT)، با استفاده از اصول اولیه موج تخت بهبود یافته (APW)، تحت تقریب شیب تعمیم یافته (GGA)، انجام شده است. نتایج نشان دادند که نانونوارهای مورد بررسی، دارای رفتار فلزی هستند و با استفاده از نمودار چگالی حالات به وضوح مشاهده می شود که این نانونوارهای SiB خاصیت مغناطیسی ندارند

   در این مقاله خواص الکتریکی و مغناطیسی نانونوارهای گالیوم نیتراید لبه زیگزاگ هیدروژنه با عرض های 7،5،3و9 با استفاده از اصول اولیه و روش نظریه تابعی چگالی بررسی شده است. این بررسی ها با استفاده از محاسبه انرژی کل و از طریق امواج تخت تقویت شده داخلی   FP-LAPW   به کمک کد wien2k   صورت گرفته است.هم چنین چگالی حالات کل ،چگالی حالات جزئی و چگالی ابر الکترونی رسم شده است.نتایج نشان می دهد نانونوارهای گالیوم نیتراید لبه زیگزاگ هیدروژنه با عرض های7،5،3و9 نیم رسانا و غیرمغناطیسی هستند و با افزایش عرض نوار گاف نواری کاهش می یابد.برسی چگالی حالات جزئی نشان می دهد نقش اتم نیتروژن در نوار ظرفیت برجسته تر از اتم گالیوم است.

برداشت داده در منطقه طبس انجام شد. سپس با استفاده از نرم افزار ژئوسافت، صافی هایی بر روی این داده ها اعمال شد و نتایج آن به شکل نقشه ترسیم شد. پس از ترسیم نقشه ، با نقشه زمین شناسی منطقه مطابقت داده شد. در آخر محل نسبی بی هنجاری مشخص شد.

CdTe و ZnTe در حالت توده و تک لایه بلورهای پایداری با ساختار الماسی­اند که خاصیت نیمرسانایی با گاف انرژی ev 5/1(CdTe)=   و ev26/2=   (ZnTe) دارند.   HgTe در حالت توده بلوری با ساختار الماسی و شبه فلز با گاف انرژی صفر است و در حالت تک لایه نیمه رسانا، با خواصی متفاوت از توده آن است. این مواد در ساخت آشکارسازهای پرتو x سخت و پرتو ? کاربردهای زیادی دارند. در آینده می توان با تغییر ساختار CdTe یا وارد کردن مواد دیگری همچون Hg   و Zn برای آشکارسازی مادون قرمز و ذرات پرانرژی –که کاربرد نجومی دارند- از این مواد استفاده کرد. موضوع این پایان نامه مطالعه خواص ساختاری و الکترونی و سایر خواص مواد مذکور به صورت نظری با استفاده از روش تابعی چگالی و کاربرد امواج تخت بهبود یافته با استفاده از کد وین است.

  سیلیکون کاربید که به عنوان کربوراندم شناخته شده ، از سیلیکون وکربن با فرمول شیمیاییsic تشکیل شده است. آنری مواسان در سال 1893 این ماده معدنی بسیار نادر را کشف کرد و به چندین روش انحلال کربن در سیلیکون مذاب، ذوب مخلوطی از کاربید کلسیم و سیلیس و احیاء سیلیس با کربن در کوره الکتریکی سنتزکرد.   اولین استفاده از SiC به عنوان بک سابنده بود و این برنامه­های الکتریکی به همراه داشت. در سال 1907 جوزف هنری برای اولین بار LED را با اعمال ولتاژ به یک بلور SiC تولید کرد و مشاهده کرد که رنگ­های زرد، سبز و نارنجی در کاتد ساطع می­شود. با استفاده از نظریه تابعی چگالی، امواج تخت بهبود یافته و تقریب شیب تعمیم یافته برای پتانسیل تبادلی همبستگی خواص الکترونی نانو نوارهای لبه آرمچیر SiC مورد مطالعه قرار می­دهیم. نتایج نشان می­دهد نانو نوار­های لبه آرمچیر SiC هیدروژن ختم مستقل از عرض خود همیشه نیمه رسانا هستند. اما ظاهر نشدن حالت­های لبه در سطح فرمی ناشی از پیوند­های دایمر SiCدر لبه­ها است

در این پایان‌نامه قصد داریم شدت اندرکنش دو ناخالصی اسپینی جایگزیده درون شبکه نانو نوار برن- نیترید آرمچیر را با فاصله بین آنها بررسی کنیم. برای این منظور می‌بایست پذیرفتاری مغناطیسی گاز الکترونی موجود در شبکه نانونوار مذکور را مورد بررسی قراردهیم. از نظریه پاسخ خطی و بر اساس نظریه RKKY1 شدت برهم‌کنش تبادلی دو اسپین جایگزیده را می‌توان از طریق تابع همبستگی عملگرهای اسپین در‌راستای z گاز الکترونی شبکه نانونوار برن- نیترید بدست آورد. . می‌توان با تغییر مغناطش ایجاد شده در نمونه و تغییر پتانسیل شیمیایی وابسته به اسپین در گاز الکترونی آثار نظم مغناطیسی را روی برهم‌کنش تبادلی ناخالصی‌ها حساب کرد.

در این تحقیق قصد بر این است که رفتار برهمکنش تبادلی بین دو ناخالصی مغناطیسی جایگزیده در گاز الکترونی درون شبکه ی تک لایه ی گرافن با فاصله ی بین آنها وبر اساس عوامل مختلفی همچون :دما،میزان تزریق الکترون و پارامتر گاف که میزان عایق بودن را میرساند بررسی شود.برطبق نظریه ی آر- کی- کی- وای شدت این برهمکنش متناسب با میزان پذیرفتاری مغناطیسی گاز الکترونی میباشد.بنابراین در اینجا هدف محاسبه ی پذیرفتاری مغناطیسی ایستای گاز الکترونی در شبکه ی شانه عسلی گرافن دارای گاف میباشد.نظریه ی پاسخ خطی بیان میکند که هر مولفه از تانسور پذیرفتاری مغناطیسی را میتوان بر اساس تابع همبستگی مولفه های اسپینی مربوطه برای گاز الکترونی نوشت.محاسبه ی این تابع همبستگی براساس ریافتهای رایج در فیزیک بس ذره ای از جمله قضیه ی ویک و تابع گرین مباشد.در ابتدا هامیلتونی تنگ بست برای توصیف دینامیک الکترون روی شبکه ی شانه عسلی به کار گرفته میشود،سپس،توابع گرین الکترونها روی این شبکه که پارامتر گاف موجود در هامیلتونی درون آن میباشد قابل محاسبه میشود.آثار نظم مغناطیسی را میتوان از طریق پتانسیل شیمیایی وابسته به اسپین،وارد محاسبه کرد.پس از بیان پذیرفتاری مغناطیسی بر حسب ساختار نواری و پتانسیل شیمیایی میتوان با بهره گیری از تبدیل فوریه مکانی،به رفتار فضایی شدت برهمکنش آر- کی- کی- وای درون شبکه تک لایه ای گرافن گاف دار دست یافت.با محاسبه ی پذیرفتاری طولی و عرضی به طور مجزا بر حسب فاصله ی فضایی بین ناخالصی های مغناطیسی جایگزیده، آثار ناهمسانگردی فضایی در اندرکنش بین اسپینهای ناخالصیهای جایگزیده نمایان میشود.پس از نجام انتگرالگیری روی منطقه ی اول بریلوئن به منظور محاسبه ی شدت برهمکنش تبادلی بین ناخالصیهای غوطه ور درون گاز الکترونی درون شبکه ی شانه عسلی گرافن ،وابستگی فضایی ونتایج عددی حاصل از آن به دست می آید.با تغییر پارامترهای مختلف از قبیل:مغناطش،مشخصه ی گاف انرژی و میزان غلظت الکترونهای تزریق شده به نمونه میتوان رفتارهای متنوعی برای وابستگی فضایی شدت اندرکنش آر- کی- کی- وای به دست آورد.